Samsung Electronics presenta Memoria V-Nand
Samsung es conocida por los teléfonos móviles, pero tiene en la fabricación de memoria un área de negocio floreciente.
Además, cuenta con un equipo de I+D notable por su capacidad de adelantarse a la competencia ofreciendo nuevas soluciones tecnológicas antes que nadie.
Ha sido la primera empresa que ha usado le interfaz «Toggle DDR 4.0» que mejora la velocidad de transmisión entre la memoria y el almacenamiento sobre la nueva V-NAND de Samsung de 256 gigabits.
El nuevo protocolo de construcción de las V-NAND llevará al nacimiento de las memorias más veloces hasta la fecha de toda la indústria, confirmando Samsung como el líder indiscutible del sector de los semi-conductores, en el que reina desde hace años.
Dentro de esta memoria V-NAND de quinta generación hay más de 90 capas de celdas 3D CTF (Charge Trap Cells)». Cada celda almacena 3 bits de datos.
